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口頭

振動分光法によるLaH$$_2$$の不均化反応の観測

櫻井 陽子; 町田 晃彦; 青木 勝敏

no journal, , 

LaH$$_2$$が組成の異なる2つの水素化物に分解する不均化反応過程を観測するため、室温高圧下で赤外反射スペクトルとラマンスペクトルを測定した。赤外反射スペクトルでは12GPa付近から絶縁相の出現を示す反射率の減少と、1150cm$$^{-1}$$付近に四面体サイトの水素の振動に帰属されるピークが観測され、絶縁体であるLaH$$_3$$の生成が確認できた。

口頭

反射高速陽電子回折を用いたSn/Ge(111)表面の相転移の研究

橋本 美絵; 深谷 有喜; 河裾 厚男; 一宮 彪彦

no journal, , 

Ge(111)-$$sqrt{3}$$$$times$$$$sqrt{3}$$-Sn表面は、220K以下で3$$times$$3構造へ相転移する。この相転移は、2次元系のパイエルス転移として注目されたが、その後Sn原子が熱的に揺らいだモデルが報告され、現在も解明が行われている。また最近、30K以下で再び$$sqrt{3}$$$$times$$$$sqrt{3}$$構造へモット転移することが報告された。しかしながら、この走査トンネル顕微鏡像はチップの影響を受けたものであり、$$sqrt{3}$$$$times$$$$sqrt{3}$$構造への相転移は起こらないとする論文が発表された。このように研究が盛んに行われているが、相転移のメカニズムやSn原子の変位に関しては、まだ明らかになっていない。そこで本研究では、最表面に敏感な反射高速陽電子回折を用いて、Sn/Ge(111)表面からのロッキング曲線を測定し、動力学的回折理論に基づく強度計算との比較から、それぞれの相転移前後における原子変位について報告する。293Kと110Kからのロッキング曲線の測定を行った結果、ほとんど変化が見られなかった。よって220Kで起こる相転移は、秩序-無秩序相転移であると考えられる。一方、110Kと29Kのロッキング曲線を比較すると、わずかな変化が見られ、極低温でSn原子が変位していることがわかった。

口頭

Sub-MeV領域の逆コンプトン散乱X線源開発の現状; SBSによるレーザーパルス圧縮

川瀬 啓悟; 神門 正城; 早川 岳人; 大東 出; 近藤 修司; 本間 隆之; 亀島 敬; 小瀧 秀行; Chen, L. M.*; 福田 祐仁; et al.

no journal, , 

昨年度Nd:YAGレーザーと150MeV電子ビームとを用いた逆コンプトン散乱X線の発生を確認した後、発生X線フラックスの向上のために幾つかの改良を実施している。これらのひとつとして、現在Nd:YAGレーザーの高いピーク強度を得るために誘導ブリルアン散乱(SBS)を用いたパルス圧縮システムを構築している。SBS媒質としては、阪大学レーザーエネルギー学研究センター において実績のある液体フルオロカーボンを用い、パルス幅1ns以下を目指している。この会議においては、逆コンプトン散乱のためのSBSパルス圧縮システムの現状について発表し、圧縮なしでの逆コンプトン散乱実験の最近の結果についても加えて報告する。

口頭

重い電子系超伝導体CeIrIn$$_5$$のIn-NMR

神戸 振作; 徳永 陽; 酒井 宏典; 中堂 博之; 松田 達磨; 安岡 弘志; 芳賀 芳範; 大貫 惇睦

no journal, , 

重い電子系超伝導体CeIrIn$$_5$$のIn-NMRを行い、ナイトシフト,スピン格子緩和時間T1の温度依存,異方性を決定した。ナイトシフトやT1は異方的であり、磁気揺らぎに強い異方性があることがわかった。またナイトシフトと静磁化率のプロットは低温で直線とはならず、超微細相互作用に温度依存があることが明らかになった。超微細相互作用の起原と温度依存,スピン揺らぎの異方性について議論する。

口頭

$$^{30}$$Si+$$^{238}$$U反応の核分裂片質量数分布における標的原子核の変形効果

西尾 勝久; 池添 博; 西中 一朗; 光岡 真一; 永目 諭一郎; 渡辺 裕*; 大槻 勤*; 廣瀬 健太郎*; 佐藤 弘樹*; Hofmann, S.*

no journal, , 

$$^{30}$$Si+$$^{238}$$U反応で生成される核分裂片の質量数分布を測定した。実験は、原子力機構タンデム加速器施設で行った。クーロン障壁より高いエネルギー反応では質量対称分布を示し、複合核の核分裂が観測された。これは、変形した$$^{238}$$Uの赤道面に$$^{30}$$Siが衝突すると融合することを示す。一方、サブバリヤエネルギーでは質量数90と178に新たなピークが現れた。これは準核分裂によるもので、$$^{238}$$Uの先端部に$$^{30}$$Siが衝突すると融合しないことを示し、標的原子核の変形が反応過程に大きな影響を与えることがわかった。この結論は、$$^{30}$$Si+$$^{238}$$Uで生成される蒸発残留核(Sg同位体)の断面積から得た結論と同じであった。

口頭

レーザー加速電子ビームに対するレーザーコントラストの影響

小瀧 秀行; 神門 正城; 大東 出; 本間 隆之; 亀島 敬; 川瀬 啓悟; Chen, L. M.*; 福田 祐仁; 桐山 博光; 近藤 修司; et al.

no journal, , 

高強度レーザーにより生成されるプラズマ中の高電場(ウェーク場)を用いて小型超短パルスの高品質電子ビーム源をつくることが可能となる。しかしながら生成電子ビームのパラメーターは、レーザーパラメーターが同じでも、レーザーによって変化し、コントロールも難しい。そこで、生成電子ビームのコントラスト依存性について調べた。25TW, 28fsの高コントラストのチタンサファイアレーザーをヘリウムガスジェットに集光し、高エネルギー高品質電子ビーム発生実験を行った。レーザーのプリパルスの状態やガスジェット中でのレーザー集光位置のコントロールにより、プラズマの生成やプラズマ電子のウェーク場へのトラップ・加速がコントロールできる。これらのパラメーターを変化させながら、電子ビームを生成し、その電子ビームのエネルギー分布や電荷量等の生成電子ビームのパラメーターを測定した。本実験により、140MeVの単色エネルギー電子ビームの生成に成功した。さらにコントラストを変化させながらの測定により、高コントラストの方が、エネルギーが高く、電荷量も多い単色エネルギー電子ビームが生成できることがわかった。

口頭

パスタ構造を考慮したクォークハドロン混合相を含む状態方程式及び強磁場中性子星構造に与える影響

安武 伸俊*; 丸山 敏毅; 巽 敏隆*; 木内 健太*; 固武 慶*

no journal, , 

表面張力や電場の遮蔽効果を考慮したクォーク-ハドロン相転移における混合相の状態方程式とそれが強磁場中性子星の構造に与える影響について考察する。ハドロン相を表す状態方程式は$$Lambda$$$$Sigma^-$$といったハイペロンを含むBruekner-Hartree-Fockモデルに基づいたものを、クォーク相についてはMITバッグ模型を用い、パスタ構造を考慮した混合相の状態方程式を計算する。これを用いて、回転する中性子星の構造と磁場のプロファイルを平衡形状の方程式を解くことで求めた。クォーク-ハドロン混合相における表面張力の不定性を考慮しても、明らかに特徴的な中性子星の磁場分布を得た。この結果は混合相が中性子星の熱的進化に影響を与える可能性を示唆している。

口頭

全吸収検出器を用いた長寿命$$^{162,165}$$Gd核異性体の寿命測定

浅井 雅人; 林 裕晃*; 長 明彦; 佐藤 哲也; 乙川 義憲; 長江 大輔; 塚田 和明; 宮下 裕次*; 大内 裕之*; 泉 さやか*; et al.

no journal, , 

$$beta$$崩壊で励起される長寿命核異性体の半減期を、全吸収検出器を用いて測定する方法を新たに開発し、$$^{162}$$Gd及び$$^{165}$$GdのKアイソマーの半減期を初めて決定した。原子力機構タンデム加速器に設置されたオンライン同位体分離装置ISOLを用いて、短寿命中性子過剰核$$^{162}$$Eu及び$$^{165}$$Euを合成・分離し、$$^{162,165}$$Euの$$beta$$崩壊で放出される$$beta$$線や$$gamma$$線を全吸収測定した。検出された事象ごとに時間情報を付加して記録することで、100$$mu$$秒以上の寿命を持つ核異性体の寿命測定を可能にした。

口頭

レーザー駆動陽子線によるヒトがん細胞への照射効果

余語 覚文; 佐藤 克俊*; 錦野 将元; 森 道昭; 手島 昭樹*; 沼崎 穂高*; 村上 昌雄*; 小倉 浩一; 匂坂 明人; 織茂 聡; et al.

no journal, , 

高強度レーザー-プラズマ相互作用を用いて、最大エネルギー約2.5MeVの陽子線を発生させ、これを培養状態(in-vitro)のヒト肺腺がん細胞に照射して、その生物学的効果を評価した。$$gamma$$H2AX免疫蛍光染色法によるDNA損傷評価を行った結果、陽子線20Gyを照射したサンプルに対して、DNA2本鎖切断の発生を示す結果を得た。講演では、レーザー駆動陽子線の特徴についても議論する。

口頭

光電子光イオン同時計測運動量画像法を用いた強レーザー場中エタノールのイオン化

穂坂 綱一; 板倉 隆二; 横山 啓一; 山内 薫*; 横山 淳

no journal, , 

強レーザー場中の分子は親イオン生成に加え、競合する多くの解離性イオン化経路を持つ。われわれは光電子光イオン同時計測運動量画像観測法により、生成物イオンを特定した光電子スペクトルを測定し、エタノール分子のイオン化過程を調べた。解離生成物ごとにイオン化直後の電子状態を観測し、その電子状態はレーザー波形に強く依存することを明らかにした。

口頭

XFELにおける生体分子損傷の原子過程,3; 損傷を伴う構造因子計算

森林 健悟

no journal, , 

X線自由電子レーザー(XFEL)の利用研究の1つとしてタンパク質などの1個の生体分子のX線による立体構造解析がある。XFELの場合、従来のX線源よりもX線の数が非常に大きいため、生体分子の損傷の影響が大きいと考えられている。生体分子の損傷は、構造解析のノイズとして現れる。本講演では、小さな分子アラニン(CH$$_3$$CHCOOHNH$$_2$$)を標的として10$$^{20}$$-10$$^{22}$$/pulse/mm$$^2$$のX線フラックスに対して(1)原子過程による電荷数の変化の時間発展を計算し、(2)各電子状態の原子散乱因子を用いて、各時間の構造因子を計算し、(3)それを時間で積分して回折像の強度の計算を行い、損傷の回折像への影響を調べた結果を報告する。

口頭

荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化

佐藤 真一郎; 齋 均*; 今泉 充*; 島崎 一紀*; 大島 武

no journal, , 

荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)薄膜の光伝導度変化について調べた。プラズマ化学気相成長(PECVD)法によりガラス基板上に製膜したa-Si:H薄膜(300nmt)に、0.10, 1.0, 10MeV H$$^+$$を最大10$$^{15}$$/cm$$^2$$程度まで室温照射し、そのときの光伝導度の変化を照射チャンバー内で測定した。その結果、いずれの条件においても光伝導度はH$$^+$$照射量の増大とともにいったん上昇し、その後減少するという特異な現象が観察された。一方、2.8MeV Si$$^{2+}$$を室温照射した場合には増加は見られなかった。また、試料電極間に5.00kV/cmのバイアス電圧を印加し、暗伝導度(暗電流)をモニターしながら10MeV H$$^+$$照射を行うと、照射中に暗伝導度は急激に増大した。さらに、照射前と比べて5桁程度高い暗伝導度を示した時点で照射を止めても(3$$times$$10$$^{13}$$/cm$$^2$$)、この高い暗伝導度はその後も長時間にわたって持続した。

口頭

歪んだダイヤモンド鎖の磁場誘起非整合秩序

坂井 徹; 利根川 孝*; 岡本 清美*

no journal, , 

スピン1/2歪んだダイヤモンド鎖について、密度行列繰り込み群と有限系の数値的厳密対角化により理論的に解析した。その結果、1/3磁化プラトーの上側に磁場によって誘起される非整合長距離秩序が現れることが判明した。われわれはこの結果により、アズライトで観測されている磁場誘起非整合秩序を理論的に説明する。

口頭

融点直下シリコンの陽電子消滅測定

河裾 厚男; 前川 雅樹

no journal, , 

シリコンは融液からの引上法(チョクラルスキー成長)で製造されるため、固有欠陥の性質を解明するには、融液の固化過程を調べることが必要である。大嶋らは、電顕観察から、固化過程における四面体積層欠陥の形成や、融解に伴う前駆状態の発現を明らかにしている。本研究では、融点直下での陽電子消滅測定を行った。チョクラルスキー法で成長したPドープ(ドープ量:約1E+14/cc)又はSbドープ(ドープ量:約1E+18/cc)のn型シリコンを幅1mm程度の短冊状に成形し、通電により融解まで加熱した。試料に20keVの陽電子マイクロビームを照射し、消滅$$gamma$$線のドップラースペクトルを測定した。その結果いずれの試料でも、融点直下20K程度の領域で物質密度自体の増加を示唆するスペクトルの広幅化が観測された。融液は近似的に$$beta$$-Sn構造とCmca構造であると考えられているので、これらの構造を仮定してスペクトルを理論的に計算した。その結果、実験結果がよく再現できることが明らかになった。さらにSbドープ試料では、融解直前にスペクトルが著しく狭小化し、空孔構造が形成されることが示唆された。スペクトル狭小化の程度から、複空孔よりも大きな寸法の空孔構造であると推定される。

口頭

動き始めた中性子源と、その世界最高レベルの性能

前川 藤夫

no journal, , 

J-PARC物質・生命科学実験施設の1MWパルス核破砕中性子源は、2008年5月30日に初中性子ビームを発生、運転を開始した。本講演では、中性子源の概要,中性子強度と分解能における世界最高レベルの性能、そして物理現象を正確にモデル化した設計計算等について述べる。

口頭

LuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$単結晶におけるFe 3p-$$>$$1s X線共鳴発光分光

安居院 あかね; 水牧 仁一朗*; 河村 直己*; 黒田 朋子*; 早川 弘毅*; 真栄田 大介*; 道内 尊正*; 池田 直*

no journal, , 

これまでLuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$のFe K吸収端励起のKb1,3発光線を測定し3d-3p電子間の交換相互作用によりスペクトルに反映される3d電子の状態について入射方向依存性を観測した。これまでに報告しているFe La,b軟X線発光分光の結果と合わせて報告する。

口頭

2種の秩序変数を含む単純なグラス模型

横田 光史

no journal, , 

ガラス転移の統計力学的模型としても用いられているポッツグラス模型では、普通、それぞれの局所状態は同等に扱われる。すなわち、それぞれの局所変数で表される状態と他の局所変数で表される状態との相互作用は、すべて同一の形を用いている。ここでは、ポッツ変数で表現される状態が、少し広がりをもった範囲での状態を表していると考え、ポッツ変数に対して同一でない2種類の状態を導入する。したがって、相互作用もそれらの状態に依存する。相互作用の一部にランダム相互作用を導入すると、グラス模型になる。このような模型のうちで比較的単純な模型を考えて、平均場近似でその系の相図を調べた。可能な状態の種類や、レプリカ対称性の破れを表すAT線を求めた。

口頭

金属絶縁体転移を示すPrNiO$$_{3}$$のNi-3d電子状態変化の直接観測

水牧 仁一朗*; 安居院 あかね; 齊藤 高志*; 東 正樹*; 島川 祐一*; 高野 幹夫*; 魚住 孝幸*

no journal, , 

希土類Niペロブスカイト酸化物(RNiO$$_{3}$$)は温度により金属絶縁体(MI)転移を示す。本研究ではこの機構を明らかにするためにR=PrのRNiO$$_{3}$$を対象とし、Ni-L吸収端において共鳴X線発光分光測定(RXES)及びX線吸収測定(XAS)を行った。その結果はMI転移機構には、Ni-3d電子状態が強くかかわっていることを示唆している。

口頭

UPd$$_3$$のNQR

徳永 陽; 藤本 達也*; 酒井 宏典; 中堂 博之; 神戸 振作; 松田 達磨; 芳賀 芳範; 大貫 惇睦

no journal, , 

六方晶TiNi$$_3$$型の結晶構造を持つUPd$$_3$$は、低温で連続した3つの相転移を示す。これらの相転移の起源は基本的にquasi-cubic対称性を持った局在f電子の四極子自由度によるものと考えられている。最近の共鳴X線散乱実験からは、高温側の秩序相について$$Q_{zx}$$型の四極子秩序の存在が示唆されているが、それ以外については詳細は明らかになっていない。そこでわれわれはこのUPd$$_3$$の複雑な相図を理解すべく、新たに$$^{105}$$Pdを97%に濃縮した試料を作成し、$$^{105}$$Pd-NQRによる研究を進めている。当日は$$^{105}$$Pd-NQR周波数の温度依存性,秩序相におけるPdサイトの対称性等について報告する。

口頭

Finite Range Droplet質量模型による核荷電半径の計算

飯村 秀紀; Buchinger, F.*

no journal, , 

Finite Range Droplet模型(FRDM)は原子核の質量や変形等の特性をすべての原子核について統一的に予測するために最近開発された核構造模型である。この模型で使用されるパラメータは原子核質量を再現するように最適化されているので、最適化で考慮されていない核荷電半径は模型の予測力を検証するのに良い物理量である。本研究では、反転対称でない変形が予想される原子核の荷電半径をFRDMに非反転対称性を取入れて計算した。また、模型で含まれていない零点振動の影響を取入れるために、B(E2)の実験値から得られる四重極変形パラメータを用いて、核荷電半径をFRDMで計算した。これらの結果、実験値との一致は改善されたものの依然として差が残り、FRDMの限界が示された。

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